[发明专利]高纯碳化硅粉体的高温固相合成方法无效
| 申请号： | 201210207135.6 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102701208A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 高攀;陈建军;严成锋;刘熙;孔海宽;忻隽;郑燕青;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;C30B29/36;C04B35/565 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高纯碳化硅粉体的高温固相合成方法，包括：配料工序：将高纯Si粉和高纯C粉混合均匀，其摩尔比为1：1～1.5：1；高真空热处理工序：将高纯Si和C粉放入坩埚中，然后置于加热炉中，对加热炉的生长室抽高真空至9×10-4Pa以下，同时将温度升高至600～1300℃，保持2小时以上；惰性气体清洗工序：向生长室中充入第一规定压力的高纯惰性气体，保持1小时以上后，再抽真空至9×10-3Pa以下，该工序重复2次以上；以及高温合成工序：在第二规定压力的高纯惰性气体下，于反应温度1500～2500℃下，保持反应2小时以上，而后降至室温，即可得到氮含量在15ppm以下的高纯碳化硅粉体。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 碳化硅 高温 相合 成方 | ||
【主权项】：
一种高纯碳化硅粉体的高温固相合成方法，其特征在于，包括：配料工序：将高纯Si粉和高纯C粉混合均匀，所述高纯Si粉和高纯C粉的摩尔比为1：1～1.5：1；高真空热处理工序：将所述高纯Si粉和高纯C粉放入坩埚中，然后置于加热炉中，对所述加热炉的生长室抽高真空至9×10‑4Pa以下，同时将温度升高至600～1300℃，保持2小时以上；惰性气体清洗工序：向所述生长室中充入第一规定压力的高纯惰性气体，保持1小时以上后，再抽真空至9×10‑3Pa以下，该工序重复2次以上；以及高温合成工序：在第二规定压力的高纯惰性气体下，于反应温度1500～2500℃下，保持反应2小时以上，而后降至室温，即可得到氮含量在15ppm以下的高纯碳化硅粉体。
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