[发明专利]在种子层之上形成互连结构的半导体器件和方法有效
| 申请号： | 201210207020.7 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102842531A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | W.K.蔡;P.C.马里穆图 | 申请（专利权）人： | 新科金朋有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;李浩 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明涉及在种子层之上形成互连结构的半导体器件和方法。一种半导体器件具有半导体管芯，在管芯之上形成有第一导电层。在管芯之上形成第一绝缘层，第一绝缘层中的第一开口被设置在第一导电层之上。在第一绝缘层之上并进入到第一导电层之上的第一开口中形成第二导电层。通过在第一绝缘层之上形成具有具有小于第一开口的宽度的第二开口的第二绝缘层并向第二开口中沉积导电材料来构造互连结构。该互连结构可以是导电柱或导电焊盘。互连结构具有比第一开口的宽度小的宽度。去除第一开口外面的第一绝缘层之上的第二导电层，同时留下互连结构下面的第二导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 种子 之上 形成 互连 结构 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：提供半导体晶片；在半导体晶片之上形成第一导电层；在半导体晶片之上形成第一绝缘层，第一绝缘层中的第一开口被设置在第一导电层之上；在第一绝缘层之上并进入到第一导电层之上的第一开口中形成第二导电层；在第一和第二导电层之上形成互连结构；以及在第一绝缘层中的第一开口外面去除第一绝缘层之上的第二导电层的一部分，该互连结构具有比第一绝缘层中的第一开口的宽度小的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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