[发明专利]在种子层之上形成互连结构的半导体器件和方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供半导体晶片；

在半导体晶片之上形成第一导电层；

在半导体晶片之上形成第一绝缘层，第一绝缘层中的第一开口被设置在第一导电层之上；

在第一绝缘层之上并进入到第一导电层之上的第一开口中形成第二导电层；

在第一和第二导电层之上形成互连结构；以及

在第一绝缘层中的第一开口外面去除第一绝缘层之上的第二导电层的一部分，该互连结构具有比第一绝缘层中的第一开口的宽度小的宽度。

2.权利要求1的方法，其中，该互连结构包括导电柱或导电焊盘。

3.权利要求2的方法，还包括在导电柱或导电焊盘之上形成凸块材料。

4.权利要求1的方法，其中，在第一和第二导电层之上形成互连结构包括：

在第一绝缘层之上形成第二绝缘层，第二绝缘层中的第二开口被设置在第一和第二导电层之上，该第二开口具有比第一绝缘层中的第一开口的宽度小的宽度；

向第二绝缘层的第二开口中沉积导电材料以形成互连结构；以及

去除第二绝缘层以留下具有小于第一绝缘层中的第一开口的宽度的宽度的互连结构。

5.权利要求4的方法，还包括通过激光直接烧蚀在第二绝缘层中形成第二开口以使第二导电层露出。

6.权利要求1的方法，其中，在第一和第二导电层之上形成互连结构包括：

在第一绝缘层之上形成第二绝缘层，第二绝缘层中的第二开口被设置在第一和第二导电层之上，该第二开口具有比第一绝缘层中的第一开口的宽度小的宽度；以及

向第二绝缘层的第二开口中沉积第一导电材料以形成第一导电焊盘。

7.权利要求6的方法，其中，在第一和第二导电层之上形成互连结构还包括：

在第一导电材料之上形成掩模层，掩模层中的第三开口被设置在第一导电焊盘之上，该第三开口具有比第二绝缘层中的第二开口的宽度小的宽度；

向掩模层的第三开口中沉积第二导电材料以形成堆叠在第一导电焊盘之上的第二导电焊盘；

去除掩模层；

在第一和第二导电焊盘之上沉积凸块材料；以及

去除第二绝缘层以留下互连结构。

8.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供半导体管芯；

在半导体管芯之上形成第一绝缘层，在第一绝缘层中具有第一开口；

在第一绝缘层之上并进入到第一绝缘层中的第一开口中形成第一导电层；以及

在第一导电层之上形成互连结构，该互连结构具有比第一绝缘层中的第一开口的宽度小的宽度。

9.权利要求8的方法，还包括在第一绝缘层中的第一开口外面去除第一绝缘层之上的第一导电层的一部分。

10.权利要求8的方法，其中，在第一和第二导电层之上形成互连结构包括：

在第一绝缘层之上形成第二绝缘层，第二绝缘层中的第二开口被设置在第一导电层之上，该第二开口具有比第一绝缘层中的第一开口的宽度小的宽度；

向第二绝缘层的第二开口中沉积导电材料以形成互连结构；以及

去除第二绝缘层以留下具有小于第一绝缘层中的第一开口的宽度的宽度的互连结构。

11.权利要求8的方法，其中，在第一和第二导电层之上形成互连结构包括：

在第一绝缘层之上形成第二绝缘层，第二绝缘层中的第二开口被设置在第一导电层之上，该第二开口具有比第一绝缘层中的第一开口的宽度小的宽度；以及

向第二绝缘层的第二开口中沉积第一导电材料以形成第一导电焊盘。

12.权利要求11的方法，其中，在第一和第二导电层之上形成互连结构还包括：

在第一导电材料之上形成掩模层，掩模层中的第三开口被设置在第一导电焊盘之上，该第三开口具有比第二绝缘层中的第二开口的宽度小的宽度；

向掩模层的第三开口中沉积第二导电材料以形成堆叠在第一导电焊盘之上的第二导电焊盘；

去除掩模层；

在第一和第二导电焊盘之上沉积凸块材料；以及

去除第二绝缘层以留下具有小于第一绝缘层中的第一开口的宽度的宽度的互连结构。