[发明专利]一种非晶硅平板X射线传感器的制作方法有效

专利信息
申请号: 201210206267.7 申请日: 2012-06-18
公开(公告)号: CN102751300A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 徐少颖;谢振宇;郭建;陈旭 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及传感器技术领域,提供一种非晶硅平板X射线传感器的制作方法,在制作一种非晶硅平板X射线传感器的过程中,减少了掩膜板使用的次数,简化了生产工序还节约了生产成本,在简化了生产工序的同时还能提高产品的良品率。该制作方法包括:在基板上形成栅极扫描线后,通过一次构图工艺形成数据线,TFT开关元件和光感应元件,其中,所述构图工艺中的掩膜板上与所述TFT开关元件的沟道对应的区域部分透光,与所述数据线、光感应元件,以及TFT开关元件中除沟道部分分别对应的区域不透光;在形成了TFT开关元件和光感应元件的基板上形成钝化层以及偏压线。
搜索关键词: 一种 非晶硅 平板 射线 传感器 制作方法
【主权项】:
一种非晶硅平板X射线传感器的制作方法,其特征在于,该方法包括:在基板上形成包括栅电极和栅极扫描线的图形;在形成栅极线和栅极扫描线的基板上形成数据线、TFT开关元件和光感应元件;在形成了数据线、TFT开关元件和光感应元件的基板上形成钝化层以及偏压线。
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