[发明专利]一种薄膜光能电池及其制备方法有效
申请号: | 201210201719.2 | 申请日: | 2012-06-18 |
公开(公告)号: | CN103515455A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 孙玮 | 申请(专利权)人: | 中兴通讯股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 张颖玲;王黎延 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种薄膜光能电池,包括:硅薄膜光能电池板、表面等离子激元膜、定向碳纳米管薄膜;所述硅薄膜光能电池板位于最底层,所述定向碳纳米管薄膜位于最顶层,所述表面等离子激元膜处于硅薄膜光能电池板和定向碳纳米管薄膜之间;所述定向碳纳米管薄膜,包括垂直生长的碳纳米管,用于吸收全部入射光,使入射光到达表面等离子激元膜;所述表面等离子激元膜,用于结合定向碳纳米管薄膜和硅薄膜光能电池板。本发明还同时公开了一种薄膜光能电池的制备方法。采用本发明,能减少由于光照角度变化而引起的光反射,进而减少光能损耗,提高光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 光能 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜光能电池,其特征在于,所述电池包括:硅薄膜光能电池板、表面等离子激元膜、定向碳纳米管薄膜;所述硅薄膜光能电池板位于最底层,所述定向碳纳米管薄膜位于最顶层,所述表面等离子激元膜处于硅薄膜光能电池板和定向碳纳米管薄膜之间;所述定向碳纳米管薄膜,包括垂直生长的碳纳米管,用于吸收全部入射光,使入射光到达表面等离子激元膜;所述表面等离子激元膜,用于结合定向碳纳米管薄膜和硅薄膜光能电池板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中兴通讯股份有限公司,未经中兴通讯股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210201719.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种发光二极管及其制造方法
- 下一篇:一种冬瓜黄瓜蜂蜜膏及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的