[发明专利]一种薄膜光能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210201719.2 申请日: 2012-06-18
公开(公告)号: CN103515455A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 孙玮 申请(专利权)人: 中兴通讯股份有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 张颖玲;王黎延
地址: 518057 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种薄膜光能电池,包括:硅薄膜光能电池板、表面等离子激元膜、定向碳纳米管薄膜;所述硅薄膜光能电池板位于最底层,所述定向碳纳米管薄膜位于最顶层,所述表面等离子激元膜处于硅薄膜光能电池板和定向碳纳米管薄膜之间;所述定向碳纳米管薄膜,包括垂直生长的碳纳米管,用于吸收全部入射光,使入射光到达表面等离子激元膜;所述表面等离子激元膜,用于结合定向碳纳米管薄膜和硅薄膜光能电池板。本发明还同时公开了一种薄膜光能电池的制备方法。采用本发明,能减少由于光照角度变化而引起的光反射,进而减少光能损耗,提高光电转换效率。
搜索关键词: 一种 薄膜 光能 电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种薄膜光能电池,其特征在于,所述电池包括:硅薄膜光能电池板、表面等离子激元膜、定向碳纳米管薄膜;所述硅薄膜光能电池板位于最底层,所述定向碳纳米管薄膜位于最顶层,所述表面等离子激元膜处于硅薄膜光能电池板和定向碳纳米管薄膜之间;所述定向碳纳米管薄膜,包括垂直生长的碳纳米管,用于吸收全部入射光,使入射光到达表面等离子激元膜;所述表面等离子激元膜,用于结合定向碳纳米管薄膜和硅薄膜光能电池板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中兴通讯股份有限公司,未经中兴通讯股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210201719.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top