[发明专利]一种低触发电压的可控硅静电放电保护结构

摘要

本发明公开了一种低触发电压的可控硅(SCR)静电放电保护结构，包括P型衬底，在该P型衬底上包括有相邻的N阱和P阱，在所述的N阱内包括有第一N型注入区和第一P型注入区，在所述的P阱内包括有第二N型注入区、第三N型注入区和第二P型注入区，在所述第二N型注入区和第三N型注入区之间的表面包括有栅氧化层，在该栅氧化层的表面包括有多晶硅栅极，其中，所述第一N型注入区和第一P型注入区均与第一输入端相连；所述第三N型注入区、第二P型注入区和多晶硅栅极均与第二输入端相连；所述第二N型注入区通过一电阻与第一输入端相连。本发明能充分发挥SCR结构具有的大电流特性和保护能力，提供一个较高的ESD防护水平。

主权项

一种低触发电压的可控硅静电放电保护结构，包括P型衬底，在该P型衬底上包括有相邻的N阱和P阱，在所述的N阱内包括有第一N型注入区和第一P型注入区，在所述的P阱内包括有第二N型注入区、第三N型注入区和第二P型注入区，在所述第二N型注入区和第三N型注入区之间的表面包括有栅氧化层，在该栅氧化层的表面包括有多晶硅栅极，其中，所述第一N型注入区和第一P型注入区均与第一输入端相连；所述第三N型注入区、第二P型注入区和多晶硅栅极均与第二输入端相连；其特征在于，所述可控硅静电放电保护结构还包括一电阻，所述第二N型注入区通过该电阻与第一输入端相连。