[发明专利]一种在线监测离子损伤的方法有效
| 申请号： | 201210195969.X | 申请日： | 2012-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103489806A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 李晶 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;王忠忠 |
| 地址： | 214028 中国无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在线监测离子损伤的方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括以下步骤：在晶圆上生成介质层以制备形成测试晶圆；所述测试晶圆与生产晶圆在基本相同工艺条件下完成高能离子工艺步骤；测量所述测试晶圆的界面缺陷、和残留表面电荷量和/或表面电压参数；基于所述界面缺陷、和残留表面电荷量和/或表面电压参数判断所述测试晶圆的离子损伤程度，以反映所述生产晶圆在所述高能离子工艺步骤形成的离子损伤。该方法能实现离子损伤的在线监测，效率高、成本低，有利于提高高能离子工艺的产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 在线 监测 离子 损伤 方法 | ||
【主权项】：
一种在线监测离子损伤的方法，其特征在于，包括以下步骤：在晶圆上生成介质层以制备形成测试晶圆；所述测试晶圆与生产晶圆在基本相同工艺条件下完成高能离子工艺步骤；测量所述测试晶圆的界面缺陷、和残留表面电荷量和/或表面电压参数；以及基于所述界面缺陷、和残留表面电荷量和/或表面电压参数判断所述测试晶圆的离子损伤程度，以反映所述生产晶圆在所述高能离子工艺步骤形成的离子损伤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
