[发明专利]一种在线监测离子损伤的方法

权利要求书

1. 一种在线监测离子损伤的方法，其特征在于，包括以下步骤：

在晶圆上生成介质层以制备形成测试晶圆；

所述测试晶圆与生产晶圆在基本相同工艺条件下完成高能离子工艺步骤；

测量所述测试晶圆的界面缺陷、和残留表面电荷量和/或表面电压参数；以及

基于所述界面缺陷、和残留表面电荷量和/或表面电压参数判断所述测试晶圆的离子损伤程度，以反映所述生产晶圆在所述高能离子工艺步骤形成的离子损伤。

2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，完成所述高能离子工艺步骤中，将所述测试晶圆与所述生产晶圆在同一条件下同时完成所述高能离子工艺步骤。

3. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，完成所述高能离子工艺步骤中，模拟所述生产晶圆的高能离子工艺步骤的工艺条件，使所述测试晶圆置于基本同于所述生产晶圆对应的工艺条件下进行高能离子工艺步骤。

4. 如权利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，所述介质层大于或等于500埃。

5. 如权利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，所述高能离子工艺为等离子刻蚀或者离子注入。

6. 如权利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，所述高能离子工艺为等离子刻蚀，所述生产晶圆上的介质层被等离子刻蚀以构图形成沟槽。

7. 如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述测试晶圆上的介质层的材料和/或制备方法分别对应与所述生产晶圆上的介质层的材料和/或制备方法相同。

8. 如权利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，在完成高能离子工艺步骤之后、测量步骤之前，还包括步骤：

将所述测试晶圆置放一段时间以稳定其残留表面电荷。

9. 如权利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，判断所述测试晶圆的离子损伤程度的步骤中，包括将测量的所述界面缺陷、和残留表面电荷量和/或表面电压参数与基础数据进行比较计算。

10. 如权利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，判断所述测试晶圆的离子损伤程度的步骤中，包括将测量的所述界面缺陷、和残留表面电荷量和/或表面电压参数与预定参数值进行比较；如果大于或等于所述预定参数值，则调节高能离子工艺的参数以减小对生产晶圆的离子损伤；如果小于所述预定参数值，则表示高能离子工艺对所述生产晶圆的离子损伤在可接受范围内。