[发明专利]薄膜晶体管无效
| 申请号： | 201210194975.3 | 申请日： | 2012-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN102832253A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 赵圣行;朴在佑;金度贤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极电极、栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的氧化物半导体层、位于氧化物半导体层上并彼此隔开的漏极电极和源极电极。所述漏极电极包括在氧化物半导体层上的第一漏极子电极和在第一漏极子电极上的第二漏极子电极。所述源极电极包括在氧化物半导体层上的第一源极子电极和在第一源极子电极上的第二源极子电极。第一漏极子电极和第一源极子电极包括镓锌氧化物(GaZnO)，第二源极子电极和第二漏极子电极包括金属原子。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极电极和栅极绝缘层；氧化物半导体层，在栅极绝缘层上；漏极电极和源极电极，彼此隔开并位于氧化物半导体层上；所述漏极电极包括直接在氧化物半导体层上的第一漏极子电极和在第一漏极子电极上的第二漏极子电极，所述源极电极包括直接在氧化物半导体层上的第一源极子电极和在第一源极子电极上的第二源极子电极，其中，第一漏极子电极和第一源极子电极包括镓锌氧化物，第二源极子电极和第二漏极子电极包括金属原子。
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