[发明专利]薄膜晶体管

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有氧化物半导体的薄膜晶体管和薄膜晶体管面板及制造该薄膜晶体管和该薄膜晶体管面板的方法，更具体地，本发明涉及一种具有防止包括在氧化物半导体或其它层中的原子被提取或扩散的层的薄膜晶体管和薄膜晶体管面板及制造该薄膜晶体管和该薄膜晶体管面板的方法。

背景技术

通常，半导体装置或液晶显示装置中主要使用包括铬(Cr)、铝(Al)、钼(Mo)或它们的合金的布线或电极。对于具有高集成度和快的操作速度的半导体装置的微制造，电阻比铝低且对于电迁移和压力迁移具有较高阻抗的铜(Cu)已经被用作半导体装置中的布线或电极。

即使在由液晶显示装置等代表的显示装置领域，由于分辨率和显示区域及包括可集成在显示装置中的传感器和驱动器电路的装置的集成度的增大，需要低电阻布线。

因此，由铜制成的栅极或数据布线、或者也是由铜制成的薄膜晶体管(TFT)的栅电极、漏电极和源电极被应用于显示装置。

然而，当铜被用作布线或电极时，铜扩散到与TFT邻近的电路元件或半导体层中，这样劣化了TFT的电路元件的特性。用于防止铜扩散到半导体层中的扩散阻挡层会劣化TFT的特性。例如，氧化物半导体层由于其高迁移率而已经被用作TFT的半导体层，但包括铟(In)或钛(Ti)的扩散阻挡层通过还原或提取包括在氧化物半导体层中的阳离子使半导体层劣化。

因此，需要防止金属原子或离子扩散、还原或被提取到邻近的层中。此外，需要用于制造包括氧化物半导体及铜布线或电极的TFT的工艺更简单。

发明内容

本发明示例性实施例解决了至少上述问题和/或缺点，并提供了至少下述优点。因此，本发明的示例性实施例提供了一种包括具有镓锌氧化物(GaZnO)防止层的薄膜晶体管(TFT)和TFT面板及其制造方法。

本发明的另一示例性实施例提供了一种用于简单地制造包括氧化物半导体的TFT或TFT面板的简化方法。

根据本发明的一个示例性实施例，提供了一种TFT，所述TFT包括栅极电极、栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的氧化物半导体层、位于氧化物半导体层上并彼此隔开的漏极电极和源极电极。所述漏极电极包括在氧化物半导体层上的第一漏极子电极和在第一漏极子电极上的第二漏极子电极。所述源极电极包括在氧化物半导体层上的第一源极子电极和在第一源极子电极上的第二源极子电极。第一漏极子电极和第一源极子电极包括镓锌氧化物(GaZnO)，第二源极子电极和第二漏极子电极包括金属原子。

第一源极子电极或第一漏极子电极可以是基本透明的。

在镓锌氧化物中，镓和锌的原子比在2/98至20/80的范围内。

漏极电极还可具有在第二漏极子电极上的第三漏极子电极，源极电极还可具有在第二源极子电极上的第三源极子电极。第三漏极子电极和第三源极子电极可包括铜锰氮化物(CuMnN)。

第一源极子电极或第一漏极子电极的厚度可为大约50埃至大约

第一源极子电极或第一漏极子电极的载流子浓度可高于氧化物半导体层的载流子浓度。

第一源极子电极或第一漏极子电极的载流子浓度可为大约10¹⁷/cm³至大约10²¹/cm³。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其他特征将变得更明白，在附图中：

图1是根据本发明的薄膜晶体管(TFT)的示例性实施例的剖视图；

图2A至图2G是示出根据本发明的制造图1中示出的TFT的方法的示例性实施例的剖视图；

图3A至图3B是示出根据本发明的TFT特性的曲线图；

图4是根据本发明的TFT的另一示例性实施例的剖视图；

图5A至图5I是根据本发明的制造图4中示出的TFT的方法的示例性实施例的剖视图；

图6是根据本发明的TFT面板的示例性实施例的平面图；

图7A至图7B是根据本发明的沿图6中示出的TFT面板的线7-7’截取的示例性实施例的剖视图。

具体实施方式