[发明专利]一种CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法

摘要

本发明涉及一种CdZnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明是采用近空间升华方法制备CdZnTe薄膜，并制作CdZnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器，为制作高性能的紫外光探测器提供了新的方法。本发明是一种CdZnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器，其特点在于，采用近空间升华方法制备高平整、颗粒尺寸小、电阻率高的CdZnTe薄膜样品。薄膜的面积>1cm2，薄膜的厚度为>10μm，电阻率达109Ω·cm；金属电极的厚度为50~300nm。

主权项

一种CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，其特征在于具有以下的工艺过程和步骤：（a）升华源的准备：根据已知的先有技术，在高真空下，高纯Cd、Zn、Te单质在布里奇曼炉的温度梯度区中的一个结晶点，由液态转为固态，生长出质量好、成分分布相对均匀的CdZnTe晶体，其中锌的摩尔含量为5%，将生长好的晶体切片作为升华源；（b）衬底预处理：采用镀有透明导电层FTO（SnO2：F，掺氟的氧化锡）的玻璃作为衬底，将衬底用去离子水、丙酮和乙醇分别超声清洗5～15分钟，洗去表面的杂质与有机物，烘干后放入近空间升华反应室内；（c）生长过程：开机械泵抽真空，将升华腔内气压抽至3Pa以下后关闭机械泵，通入氩气将气压调至200~700Pa，关闭气瓶；开卤素灯将升华源及衬底分别加热到550~650℃和400~550℃；生长40min~90min后，关闭卤素灯，开机械泵抽真空至气压为10Pa以下，关机械泵，待样品冷却至室温，取出样品；（d） 腐蚀及退火：配制浓度为0.1~0.5%的溴甲醇溶液，将制备好的样品浸入溶液腐蚀20~40s，然后将腐蚀过的样品在真空中100~250°C退火20~50分钟，获得富镉的CdZnTe薄膜；（e）制作电极：在上述CdZnTe薄膜上表面采用蒸镀或溅射方法制备100~300nm厚的金属电极；然后将样品在真空中100~250°C退火20~50分钟形成良好的肖特基接触，最终制得CdZnTe薄膜肖特基结构的紫外光探测器。