[发明专利]铜铟镓硒薄膜太阳能电池大规模生产中的碱金属掺杂方法有效
申请号: | 201210189541.4 | 申请日: | 2012-06-06 |
公开(公告)号: | CN103474505A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 任宇航;任宇珂 | 申请(专利权)人: | 尚越光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京市盛峰律师事务所 11337 | 代理人: | 赵建刚 |
地址: | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池大规模生产中的碱金属掺杂方法,在玻璃基底、不锈铟基底或柔性基底上沉积Mo金属背电极层;铜铟镓硒光吸收层的制备;对铜铟镓硒光吸收层进行碱金属元素掺杂沉积;对沉积后形成的碱金属薄膜进行热处理,以使碱金属渗入铜铟镓硒晶界,并改善其晶界特性;碱金属残留物清洗;在碱金属残留物清洗后的铜铟镓硒薄膜层上沉积CdS、ZnS或InS缓冲层;沉积高阻i-ZnO层和ZnO:Al窗口层,以形成铜铟镓硒太阳能电池。本发明退火后,碱金属渗入不会影响其晶格生成;碱金属渗透入铜铟镓硒光吸收层后,在提高开路电压的同时,可大幅提高填充因子,并提高电池光电转化效率。 | ||
搜索关键词: | 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 大规模 生产 中的 碱金属 掺杂 方法 | ||
【主权项】:
一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池大规模生产中的碱金属掺杂方法,其特征在于,包括步骤如下:步骤一,在玻璃基底或柔性基底上上沉积Mo金属背电极层;步骤二,铜铟镓硒光吸收层的制备,其中包括铜铟镓硒前驱物的真空或非真空沉积过程以及沉积完成以后进行硒化退火以形成铜铟镓硒光吸收层;步骤三,对所述铜铟镓硒光吸收层进行碱金属元素掺杂沉积;步骤四,对沉积后形成的碱金属薄膜进行热处理,以使碱金属渗入铜铟镓硒晶界,并改善其晶界特性;步骤五,碱金属残留物清洗;步骤六,在碱金属残留物清洗后的铜铟镓硒薄膜层上沉积CdS、ZnS或InS缓冲层;步骤七,沉积高阻i‑ZnO层和ZnO:Al窗口层,以形成铜铟镓硒太阳能电池。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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