[发明专利]瞬变电压抑制二极管PN结的实现方法

摘要

本发明公开了一种瞬变电压抑制二极管PN结的实现方法，在P型衬底上涂敷光刻胶，通过光刻定义出器件的沟槽，用光刻胶保护沟槽之外的区域，进行干法刻蚀得到沟槽；去除光刻胶，在沟槽中填充本征多晶硅；采用选择性刻蚀去除多余的本征多晶硅，经刻蚀后本征多晶硅距离沟槽顶端的距离为0.1～3μm；在沟槽中本征多晶硅的上方填充N型多晶硅；通过选择性刻蚀去除多余的N型多晶硅，并进行化学机械抛光；在N型多晶硅上形成金属硅化物，在金属硅化物中形成接触孔，实现接触孔连接；通过位于接触孔上方的金属线和位于P型衬底下方的背面电极分别引出两端电极。本发明能有效降低器件的单位电容密度。

主权项

一种瞬变电压抑制二极管PN结的实现方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，在P型衬底上涂敷光刻胶，通过光刻定义出器件的沟槽，用光刻胶保护沟槽之外的区域，进行干法刻蚀得到沟槽；步骤2，去除光刻胶，在所述沟槽中填充本征多晶硅；步骤3，采用选择性刻蚀去除多余的本征多晶硅，经刻蚀后所述本征多晶硅距离沟槽顶端的距离为0.1～3μm；步骤4，在沟槽中所述本征多晶硅的上方填充N型多晶硅；步骤5，通过选择性刻蚀去除多余的所述N型多晶硅，并进行化学机械抛光；步骤6，在所述N型多晶硅上形成金属硅化物，在该金属硅化物中形成接触孔，实现接触孔连接；通过位于所述接触孔上方的金属线和位于所述P型衬底下方的背面电极分别引出两端电极。