[发明专利]一种基于SLiM-Cut技术制备超薄硅片的方法有效
申请号: | 201210188942.8 | 申请日: | 2012-06-11 |
公开(公告)号: | CN102683179A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 李国岭;周锋子;李立本;李航;王丹丹;李新忠 | 申请(专利权)人: | 河南科技大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人: | 孙笑飞 |
地址: | 471000 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 一种基于SLiM-Cut技术制备超薄硅片的方法,在硅衬底上印上一层厚度为20mm青铜浆层,干燥后放入快速退火炉,加热到720℃之后,保温10秒,然后停火冷却;取出后在硅衬底上青铜层的表面印制厚度为40mm的锌浆层,干燥后放入快速退火炉中,加热到720℃之后,保温10秒,然后停火冷却,使硅衬底表面与青铜层相结合的硅层从硅衬底上剥离;放入化学蚀刻液中,将锌层和青铜层腐蚀溶解,取出剩余的硅层,清洗后晾干,即得到厚度为30-50mm的超薄硅片。本方案退火温度较低,降低了能源消耗;以青铜和锌为丝印层,均为传统的材料,便于进行大规模化生产,利于降低成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 slim cut 技术 制备 超薄 硅片 方法 | ||
【主权项】:
一种基于SLiM‑Cut技术制备超薄硅片的方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)、取大小为5×5 cm2的硅片作为衬底;(2)、将硅衬底水平放置,在其上表面通过丝网印刷的方法印上一层厚度为20 mm青铜浆层;(3)、然后将印有青铜浆层的硅衬底放置在200℃的条件下,使青铜浆层干燥,形成青铜层;(4)、将附有干燥后青铜层的硅衬底放入快速退火炉中,加热到720 ℃之后,保温10秒,然后停火,风冷冷却;(5)、将步骤(4)冷却后的硅衬底取出,设有青铜层的一面朝上放置,通过丝网印刷的方法在硅衬底上青铜层的表面印制厚度为40 mm的锌浆层,然后在200℃的条件下,使锌浆层干燥,形成锌层;(6)、将步骤(5)的硅衬底制备有锌层的一面朝上放入快速退火炉中,加热到720 ℃之后,保温10秒,然后停火,风冷冷却,在冷却过程中利用不同材料热膨胀系数的差异,通过锌层的收缩,使硅衬底表面与青铜层相结合的硅层从硅衬底上剥离;(7)、将锌层、青铜层和附着在青铜层上的硅层一同从硅衬底上剥离,然后放入化学蚀刻液中,将锌层和青铜层腐蚀溶解,取出剩余的硅层,清洗后晾干,即得到厚度为30‑50 mm的超薄硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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