[发明专利]图像传感器无效

专利信息
申请号: 201210188624.1 申请日: 2008-03-19
公开(公告)号: CN102820310A 公开(公告)日: 2012-12-12
发明(设计)人: 南现熙;朴正烈 申请(专利权)人: 智慧投资II有限责任公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 美国华*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种光掩模以及利用该掩模来制造图像传感器的方法,图像传感器的制造方法包括在逻辑电路区域和像素区域中的在衬底上形成绝缘层;在绝缘层上形成光刻胶;图案化光刻胶以形成其中暴露像素区域中的绝缘层而不暴露逻辑电路区域中的绝缘层的光刻胶图案,其中在逻辑电路区域到像素区域的方向上光刻胶图案的厚度在像素区域与逻辑电路区域之间的界面区域中逐渐减小;和在光刻胶图案和绝缘层的蚀刻速率基本相同的条件下在绝缘层和光刻胶图案上实施回蚀刻工艺。
搜索关键词: 图像传感器
【主权项】:
一种图像传感器,包括:光电二极管,被构造为基于接收到的光产生信号;电路,被构造为处理所述光电二极管产生的信号;区域,在所述光电二极管与所述电路之间;以及绝缘层,形成在所述光电二极管、所述电路以及所述区域之上,其中所述绝缘层具有从约0.4度至约15度的斜坡且其厚度在所述区域上方减小。
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