[发明专利]一种基于忆阻交叉阵列的Q学习系统有效
申请号: | 201210188573.2 | 申请日: | 2012-06-08 |
公开(公告)号: | CN102723112A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 王丽丹;何朋飞;段书凯;钟宇平 | 申请(专利权)人: | 西南大学 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G11C16/24 |
代理公司: | 重庆弘旭专利代理有限责任公司 50209 | 代理人: | 周韶红 |
地址: | 400716*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于忆阻交叉阵列的Q学习系统,包括忆阻交叉阵列,其特征在于:所述系统还包括读写选择开关:控制忆阻交叉阵列的读写操作,状态选择开关:状态检测模块检测当前环境状态st,通过状态选择开关,选择相应的行线;列选择开关:当需要对Q值,也即对忆阻交叉阵列的某一个忆阻值进行更新时,列选择开关选择动作at所对应的列线。延迟单元:将选择的列线的电压延迟一个时间步长;状态检测模块:检测当前的环境状态,保存上一个环境状态,。本发明将新的电路元件—忆阻器成功应用到了强化学习中,解决了强化学习需要大量的存储空间问题,为以后强化学习的研究提供了一种新的思路。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 交叉 阵列 学习 系统 | ||
【主权项】:
一种基于忆阻交叉阵列的Q学习系统,包括忆阻交叉阵列,其特征在于:所述系统还包括读写选择开关:控制忆阻交叉阵列的读写操作;状态选择开关:状态检测模块检测当前环境状态st,通过状态选择开关,选择相应的行线;列选择开关:当需要对Q值,也即对忆阻交叉阵列的某一个忆阻值进行更新时,列选择开关选择动作at所对应的列线;延迟单元:将选择的列线的电压延迟一个时间步长;状态检测模块:检测当前的环境状态,保存上一个环境状态,当需要根据状态选择动作时,状态检测模块检测当前环境状态,并将此状态提供给状态选择开关和状态控制开关,执行动作以后,状态选择开关检测此时的环境状态,保存上一个环境状态,并将此时的环境状态提供给状态选择开关和状态控制开关;当对Q值进行更新的时候,状态检测模块输出前一个时刻的环境状态,并提供给状态选择开关,选择相应的行线。
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