[发明专利]一种多晶硅的生产方法有效
申请号: | 201210188467.4 | 申请日: | 2012-06-08 |
公开(公告)号: | CN103466626A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 吴梅 | 申请(专利权)人: | 浙江昱辉阳光能源有限公司 |
主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李玉秋 |
地址: | 314117 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供一种多晶硅的生产方法为硅矿石与氯气或氯化氢在还原剂作用下发生氯化反应,得到四氯化硅;将所述的四氯化硅进行氢化反应,得到三氯氢硅;将所述的三氯氢硅还原,得到多晶硅。本发明直接使硅矿石与氯气或氯化氢在还原剂作用下发生氯化反应,得到四氯化硅;将所述四氯化硅进行氢化得到三氯氢硅;将所述三氯氢硅还原,得到多晶硅。首先,本发明中直接以硅矿石为原料制备多晶硅,无需经过金属硅冶炼工序将石英砂制备成为工业硅后再制备多晶硅,避免了高能耗的工业硅冶炼工序,因此降低了整个多晶硅生产方法的能耗。其次,本发明工序少,工艺简化,并且各工序产生的尾气还可以循环利用,节约成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 多晶 生产 方法 | ||
【主权项】:
一种多晶硅的生产方法,包括以下步骤:(A)硅矿石与氯气或氯化氢在还原剂作用下发生氯化反应,得到四氯化硅;(B)将所述步骤(A)得到的四氯化硅进行氢化反应,得到三氯氢硅;(C)将所述步骤(B)得到的三氯氢硅还原,得到多晶硅。
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