[发明专利]一种平衡微带线过渡的半模双脊基片集成波导有效
申请号: | 201210187099.1 | 申请日: | 2012-06-08 |
公开(公告)号: | CN102709658A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 林澍;张兴起;张馨月;王立娜;蔡润南;马泽众;田雨;陆加 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H01P3/00 | 分类号: | H01P3/00;H01P3/08 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 高媛 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 一种平衡微带线过渡的半模双脊基片集成波导,它涉及一种基片集成脊波导,具体涉及一种平衡微带线过渡的半模双脊基片集成波导,以解决现有介质集成波导尺寸较大及单模工作带宽较窄的问题,它包括上层介质基片、中层介质基片、下层介质基片、上金属贴片、下金属贴片、上金属带条、下金属带条和四个平衡微带线;上金属贴片附着在上层介质基片的上表面上,下金属贴片附着在下层介质基片的下表面上;中层介质基片的上表面上附着有上金属带条,中层介质基片的下表面上附着有下金属带条,中层介质基片的上表面上设置的上金属带条的两端和中层介质基片的下表面上设置的下金属带条的两端各连接有一个平衡微带线,本发明用于无线电领域中。 | ||
搜索关键词: | 一种 平衡 微带 过渡 半模双脊基片 集成 波导 | ||
【主权项】:
一种平衡微带线过渡的半模双脊基片集成波导,其特征在于:所述双脊基片集成波导包括上层介质基片(1)、中层介质基片(2)、下层介质基片(3)、上金属贴片(4)、下金属贴片(5)、上金属带条(6)、下金属带条(7)和四个平衡微带线(8);所述上层介质基片(1)、下层介质基片(3)和中层介质基片(2)均为矩形板,上层介质基片(1)和下层介质基片(3)形状和大小相同,上层介质基片(1)的长度小于中层介质基片(2)的长度,上层介质基片(1)、中层介质基片(2)和下层介质基片(3)由上至下依次叠放设置且三者的长度方向一致,上层介质基片(1)和下层介质基片(3)正对设置,上金属贴片(4)附着在上层介质基片(1)的上表面上,下金属贴片(5)附着在下层介质基片(3)的下表面上,上层介质基片(1)的上表面的长边的边缘处沿上层介质基片(1)的长度方向等间距设置有多个第一金属化过孔(1‑1),所述第一金属化过孔(1‑1)贯通上层介质基片(1)、中层介质基片(2)和下层介质基片(3)且第一金属化过孔(1‑1)的上下端分别与上金属贴片(4)和下金属贴片(5)相连接;与上层介质基片(1)相贴合的中层介质基片(2)的上表面上附着有上金属带条(6),与下层介质基片(3)相贴合的中层介质基片(2)的下表面上附着有下金属带条(7),上金属带条(6)和下金属带条(7)正对设置且二者均与第一金属化过孔(1‑1)具有间隙,上层介质基片(1)的上表面的中部沿上层介质基片(1)的长度方向设置有多个第二金属化过孔(1‑2),下层介质基片(3)的下表面的中部沿下层介质基片(3)的长度方向设置有多个第三金属化过孔(3‑1),第二金属化过孔(1‑2)穿过上层介质基片(1)且第二金属化过孔(1‑2)的上下端分别与上金属贴片(4)和上金属带条(6)相连接并形成上脊;第三金属化过孔(3‑1)穿过下层介质基片(3)且第三金属化过孔(3‑1)的上下端分别与下金属贴片(5)和下金属带条(7)相连接并形成下脊,上脊和下脊形成双脊;所述上层介质基片(1)、上层介质基片(1)和下层介质基片(3)之间的中层介质基片(2)、下层介质基片(3)、上金属贴片(4)、下金属贴片(5)、上金属带条(6)和下金属带条(7)构成波导体;中层介质基片(2)的上表面上设置的上金属带条(6)的两端和中层介质基片(2)的下表面上设置的下金属带条(7)的两端各连接有一个平衡微带线(8),平衡微带线(8)分别位于中层介质基片(2)的上表面上和下表面上,所述平衡微带线(8)的截面积由与上金属带条(6)和下金属带条(7)相连接的一端向中层介质基片(2)的端部逐渐减小。
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