[发明专利]一种平衡微带线过渡的半模双脊基片集成波导

说明书

技术领域

本发明涉及一种基片集成脊波导，具体涉及一种平衡微带线过渡的半模双脊基片集成波导，属于无线电技术领域。

背景技术

传统的金属矩形波导具有低损耗、高功率容量而在微波和毫米波领域中得到了大量的应用，但它是非平面的结构，具有难于和平面的印刷电路板集成等缺点。印刷电路技术由于具有结构紧凑、易于和通信系统集成等特点，受到了广泛的关注。介质集成波导（SIW）结构综合了金属矩形波导和平面印刷电路技术，从而在通信领域获得了广泛的应用，介质集成波导（SIW）结构具有很多传统的矩形波导的优点，可以印刷在平面电路板上，损耗小、过渡简单、易于集成，但由于其截止波长与波导截面尺寸成正比，在结构小型化和单模工作频带上受到限制，在较低的微波频段（如C波段、X波段和Ku波段）工作，单模工作带宽较窄。多层介质集成波导（SIFW），虽然波导尺寸减小了，但损耗较高，半模介质集成波导（HMSIW），波导尺寸减小了一半，并且在滤波器和耦合器等方面得到了很好的应用，但是单模工作带宽仍然较窄。

发明内容

本发明的目的是为解决现有介质集成波导尺寸较大及单模工作带宽较窄的问题，进而提供一种平衡微带线过渡的半模双脊基片集成波导。

本发明为解决上述问题采取的技术方案是：本发明的一种平衡微带线过渡的半模双脊基集成波导所述双脊基片集成波导包括上层介质基片、中层介质基片、下层介质基片、上金属贴片、下金属贴片、上金属带条、下金属带条和四个平衡微带线；

所述上层介质基片、下层介质基片和中层介质基片均为矩形板，上层介质基片和下层介质基片形状和大小相同，上层介质基片的长度小于中层介质基片的长度，上层介质基片、中层介质基片和下层介质基片由上至下依次叠放设置且三者的长度方向一致，上层介质基片和下层介质基片正对设置，上金属贴片附着在上层介质基片的上表面上，下金属贴片附着在下层介质基片的下表面上，上层介质基片的上表面的长边的边缘处沿上层介质基片的长度方向等间距设置有多个第一金属化过孔，所述第一金属化过孔贯通上层介质基片、中层介质基片和下层介质基片且第一金属化过孔的上下端分别与上金属贴片和下金属贴片相连接；

与上层介质基片相贴合的中层介质基片的上表面上附着有上金属带条，与下层介质基片相贴合的中层介质基片的下表面上附着有下金属带条，上金属带条和下金属带条正对设置且二者均与第一金属化过孔具有间隙，上层介质基片的上表面的中部沿上层介质基片的长度方向设置有多个第二金属化过孔，下层介质基片的下表面的中部沿下层介质基片的长度方向设置有多个第三金属化过孔，第二金属化过孔穿过上层介质基片且第二金属化过孔的上下端分别与上金属贴片和上金属带条相连接并形成上脊；第三金属化过孔穿过下层介质基片且第三金属化过孔的上下端分别与下金属贴片和下金属带条相连接并形成下脊，上脊和下脊形成双脊；

所述上层介质基片、上层介质基片和下层介质基片之间的中层介质基片、下层介质基片、上金属贴片、下金属贴片、上金属带条和下金属带条构成波导体；

中层介质基片的上表面上设置的上金属带条的两端和中层介质基片的下表面上设置的下金属带条的两端各连接有一个平衡微带线，平衡微带线分别位于中层介质基片的上表面上和下表面上，所述平衡微带线的截面积由与上金属带条和下金属带条相连接的一端向中层介质基片的端部逐渐减小。