[发明专利]一种平衡微带线过渡的半模双脊基片集成波导

权利要求书

1.一种平衡微带线过渡的半模双脊基片集成波导，其特征在于：所述双脊基片集成波导包括上层介质基片（1）、中层介质基片（2）、下层介质基片（3）、上金属贴片（4）、下金属贴片（5）、上金属带条（6）、下金属带条（7）和四个平衡微带线（8）；

所述上层介质基片（1）、下层介质基片（3）和中层介质基片（2）均为矩形板，上层介质基片（1）和下层介质基片（3）形状和大小相同，上层介质基片（1）的长度小于中层介质基片（2）的长度，上层介质基片（1）、中层介质基片（2）和下层介质基片（3）由上至下依次叠放设置且三者的长度方向一致，上层介质基片（1）和下层介质基片（3）正对设置，上金属贴片（4）附着在上层介质基片（1）的上表面上，下金属贴片（5）附着在下层介质基片（3）的下表面上，上层介质基片（1）的上表面的长边的边缘处沿上层介质基片（1）的长度方向等间距设置有多个第一金属化过孔（1-1），所述第一金属化过孔（1-1）贯通上层介质基片（1）、中层介质基片（2）和下层介质基片（3）且第一金属化过孔（1-1）的上下端分别与上金属贴片（4）和下金属贴片（5）相连接；

与上层介质基片（1）相贴合的中层介质基片（2）的上表面上附着有上金属带条（6），与下层介质基片（3）相贴合的中层介质基片（2）的下表面上附着有下金属带条（7），上金属带条（6）和下金属带条（7）正对设置且二者均与第一金属化过孔（1-1）具有间隙，上层介质基片（1）的上表面的中部沿上层介质基片（1）的长度方向设置有多个第二金属化过孔（1-2），下层介质基片（3）的下表面的中部沿下层介质基片（3）的长度方向设置有多个第三金属化过孔（3-1），第二金属化过孔（1-2）穿过上层介质基片（1）且第二金属化过孔（1-2）的上下端分别与上金属贴片（4）和上金属带条（6）相连接并形成上脊；第三金属化过孔（3-1）穿过下层介质基片（3)且第三金属化过孔（3-1）的上下端分别与下金属贴片（5）和下金属带条（7）相连接并形成下脊，上脊和下脊形成双脊；

所述上层介质基片（1）、上层介质基片（1）和下层介质基片（3）之间的中层介质基片（2）、下层介质基片（3）、上金属贴片（4）、下金属贴片（5）、上金属带条（6）和下金属带条（7）构成波导体；

中层介质基片（2）的上表面上设置的上金属带条（6）的两端和中层介质基片（2）的下表面上设置的下金属带条（7）的两端各连接有一个平衡微带线（8），平衡微带线（8）分别位于中层介质基片（2）的上表面上和下表面上，所述平衡微带线（8）的截面积由与上金属带条（6）和下金属带条（7）相连接的一端向中层介质基片（2）的端部逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的一种平衡微带线过渡的半模双脊基片集成波导，其特征在于：所述每个平衡微带线（8）由沿中层介质基片长度方向并列设置的直角梯形板（8-1）和矩形板（8-2）构成，直角梯形板（8-1）的大底端面分别与上金属带条（6）的两端和下金属带条（7）的两端连接，直角梯形板（8-1）的小底端面与矩形板（8-2）的厚度方向的宽侧面相连接且二者制成一体。

3.根据权利要求2所述的一种平衡微带线过渡的半模双脊基片集成波导，其特征在于：直角梯形板（8-1）的小底端的宽度（W4）为2.5mm，直角梯形板（8-1）的大底端的宽度（W5）为9mm，直角梯形板的高度（L4）为30mm。

4.根据权利要求1或2所述的一种平衡微带线过渡的半模双脊基片集成波导，其特征在于：所述上层介质基片（1）、下层介质基片（3）和中层介质基片（2）均采用相对介电常数均为4.4，厚度均为1.5mm的环氧玻璃布层压板制成。

5.根据权利要求1、2或3所述的一种平衡微带线过渡的半模双脊基片集成波导，其特征在于：上层介质基片（1）的长度（L1）和下层介质基片（3）的长度（L3）均为100mm，上层介质基片（1）的宽度（W1）和下层介质基片（3）的宽度（W3）均为17.5mm，上层介质基片（1）的厚度（H1）和下层介质基片（3）的厚度（H3）均为1.5mm。

6.根据权利要求1、2或3所述的一种平衡微带线过渡的半模双脊基片集成波导，其特征在于：中层介质基片（2）的长度（L2）为170mm，宽度（W2）为17.5mm，厚度（H2）为1.5mm。