[发明专利]用铜锌锡硫化合物单一靶材制备薄膜太阳能电池的方法

摘要

本发明涉及太阳能领域，具体涉及一种用铜锌锡硫化合物单一靶材制备薄膜太阳能电池的方法，该方法包括：A．用真空磁控溅射法，在钠钙玻璃钼Mo衬底或不锈钢片钼Mo衬底上溅射具有黄铜矿结构Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2铜锌锡硫化合物单一靶材，形成太阳能电池吸收层；B．在真空下，对所述太阳能电池吸收层通过快速加热进行退火处理；C．用真空磁控溅射法，在B步骤处理的所述太阳能电池吸收层上沉积In2Se3或In2S3缓冲层；D.用射频真空磁控溅射法，在沉积的In2Se3或In2S3缓冲层上进行本征氧化锌i-ZnO高阻抗层的沉积；E．用射频真空磁控溅射法，在沉积的所述本征氧化锌i-ZnO上进行参铝氧化锌ZnO:Al低阻抗层的沉积。本发明能够在无污染情况制备I-III-VI2具有黄铜矿结构的薄膜太阳能电池。

主权项

一种用铜锌锡硫化合物单一靶材制备薄膜太阳能电池的方法，其特征在于，该方法包括：A．利用真空磁控溅射法，在钠钙玻璃钼Mo衬底或不锈钢片钼Mo衬底上溅射具有黄铜矿结构的Ⅰ‑Ⅲ‑Ⅵ2铜锌锡硫化合物单一靶材，形成太阳能电池吸收层；B．在真空环境下，对A步骤制备的太阳能电池吸收层进行退火处理；C．利用真空磁控溅射法，在B步骤处理后的所述太阳能电池吸收层上沉积In2Se3或In2S3缓冲层；D．利用射频真空磁控溅射法，在步骤C沉积的In2Se3或In2S3缓冲层上进行本征氧化锌i‑ZnO高阻抗层的沉积；E．利用射频真空磁控溅射法，在步骤D沉积的所述本征氧化锌i‑ZnO上进行参铝氧化锌ZnO:Al低阻抗层的沉积。