[发明专利]在低位错GaN纳米柱上外延LED的方法无效
| 申请号： | 201210184531.1 | 申请日： | 2012-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN102683523A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 吴奎;魏同波;闫建昌;刘喆;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种在低位错GaN纳米柱上外延LED的方法，包括如下步骤：1)用碱液或混酸腐蚀蓝宝石衬底上的GaN模以形成六角微坑；2)采用ICP的方法，继续刻蚀六角微坑，在六角微坑周围形成GaN纳米柱；3)采用MOCVD的方法，在GaN纳米柱上外延GaN LED层，使GaN层与蓝宝石衬底之间形成空气柱，完成制备。采用本发明的方法，可有效降低GaN外延层的位错密度，提高外延材料的晶体质量和均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 低位 gan 纳米 外延 led 方法 | ||
【主权项】：
一种在低位错GaN纳米柱上外延LED的方法，包括如下步骤：1)用碱液或混酸腐蚀蓝宝石衬底上的GaN模以形成六角微坑；2)采用ICP的方法，继续刻蚀六角微坑，在六角微坑周围形成GaN纳米柱；3)采用MOCVD的方法，在GaN纳米柱上外延GaN LED层，使GaN层与蓝宝石衬底之间形成空气柱，完成制备。
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