[发明专利]在低位错GaN纳米柱上外延LED的方法

权利要求书

1.一种在低位错GaN纳米柱上外延LED的方法，包括如下步骤：

1)用碱液或混酸腐蚀蓝宝石衬底上的GaN模以形成六角微坑；

2)采用ICP的方法，继续刻蚀六角微坑，在六角微坑周围形成GaN纳米柱；

3)采用MOCVD的方法，在GaN纳米柱上外延GaN LED层，使GaN层与蓝宝石衬底之间形成空气柱，完成制备。

2.根据权利要求1所述的在低位错GaN纳米柱上外延LED的方法，其中GaN膜的厚度为2um。

3.根据权利要求1所述的在低位错GaN纳米柱上外延LED的方法，其中碱液为KOH溶液，腐蚀温度为80℃，腐蚀时间为1-2min，或者用体积比为H₂SO₄∶H₃PO₄＝3∶1的混酸液，该混酸液的温度为260℃，腐蚀时间为4-8min。

4.根据权利要求1所述的在低位错GaN纳米柱上外延LED的方法，其中用ICP的方法刻蚀，使GaN模板上六角微坑继续被刻蚀掉，刻蚀深度小于GaN模的厚度，其机理在于高位错区域刻蚀速率明显大于低位错区域，形成GaN纳米柱。

5.根据权利要求4所述的在低位错GaN纳米柱上外延LED的方法，其中ICP刻蚀气体为Cl₂，起辉功率450w，刻蚀功率75w，刻蚀时间为150-250s，将六角微坑20区域继续刻蚀掉0.8-1.2um。