[发明专利]一种蓝宝石晶体的生长方法无效
申请号: | 201210182612.8 | 申请日: | 2012-05-31 |
公开(公告)号: | CN102787352A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 俞后法 | 申请(专利权)人: | 俞后法 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 315500 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种蓝宝石晶体的生长方法,涉及蓝宝石晶体制作技术领域,包括如下步骤:(1)将坩埚置于晶体生长炉内,使坩埚中心与晶体生长炉的感应线圈的几何中心重合;将模具置于坩埚内,使模具中心与坩埚中心重合;(2)将高纯氧化铝粉末置于坩埚内;(3)密封晶体生长炉,抽真空;(4)向晶体生长炉内充入高纯氩气;(5)通过感应线圈加热,使高纯氧化铝粉末全部融化;(6)缓慢向下移动拉晶杆,直至拉晶杆与模具内高纯氧化铝液体接触后停止;(7)向上提拉拉晶杆,得成品。通过本发明所述生长方法所得产品,其位错密度、光学透过率以及光学均匀性等指标均优于现有技术方法所得产品。 | ||
搜索关键词: | 一种 蓝宝石 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】:
一种蓝宝石晶体的生长方法,其特征在于,其依次包括如下步骤:(1)将坩埚置于晶体生长炉内,使坩埚中心与晶体生长炉的感应线圈的几何中心重合;将模具置于坩埚内,使模具中心与坩埚中心重合;(2)将高纯氧化铝粉末置于坩埚内;(3)密封晶体生长炉,抽真空;(4)向晶体生长炉内充入高纯氩气;(5)通过感应线圈加热,使高纯氧化铝粉末全部融化;(6)缓慢向下移动拉晶杆,直至拉晶杆与模具内高纯氧化铝液体接触后停止;(7)向上提拉拉晶杆,得成品。
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