[发明专利]集成电路电容器及其制造方法有效
| 申请号： | 201210180269.3 | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN103456497B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 陈士弘;谢光宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/38;H01G4/005 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路电容器及其制造方法，该电容器包括一系列的山脊与沟道及一互连区域于该集成电路衬底之上，该系列的山脊与沟道及该互连区域具有一电容器基础表面，此电性导体自该互连区域电性连接该电极层以存取该电容器构件的该电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电容器，包括：一系列的山脊与沟道及一互连区域于一衬底之上，该系列的山脊与沟道及该互连区域具有一电容器基础表面，其具有一弯曲的剖面轮廓于该系列的山脊与沟道；一弯曲叠层平板电容器构件，包含至少两个电性导电电极层及介电层分隔该电极层，在该电容器基础表面处产生一个或多个电容器的一叠层；以及电性导体自该互连区域电性连接该电极层以存取该电容器构件的该电极层；其中，该互连区域是在该山脊或沟道至少一者之中，该电性导体通过该互连区域中的垂直介层孔，该垂直介层孔于该电极层的接触垫上方，该电性导体与该接触垫电性连接。
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