[发明专利]集成电路电容器及其制造方法

权利要求书

1.一种电容器，包括：

一系列的山脊与沟道及一互连区域于一衬底之上，该系列的山脊与沟道及该互连区域具有一电容器基础表面，其具有一弯曲的剖面轮廓于该系列的山脊与沟道；

一弯曲叠层平板电容器构件，包含至少两个电性导电电极层及介电层分隔该电极层，在该电容器基础表面处产生一个或多个电容器的一叠层；以及

电性导体自该互连区域电性连接该电极层以存取该电容器构件的该电极层。

2.根据权利要求1所述的电容器，其中该互连区域是与该系列的山脊与沟道分离。

3.根据权利要求1所述的电容器，其中该互连区域是在该山脊或沟道至少一者之中。

4.根据权利要求1所述的电容器，其中该电性导体通过该互连区域中的垂直介层孔，该垂直介层孔于该电极层的接触垫上方，该电性导体与该接触垫电性连接。

5.根据权利要求1所述的电容器，其中每一个该电性导体是与一电极层的一接触垫电性连接。

6.根据权利要求1所述的电容器，其中该系列的该山脊是位于该衬底的一沟道内。

7.根据权利要求1所述的电容器，其中：

该山脊具有山脊宽度，该沟道具有沟道宽度，该山脊宽度，该沟道宽度在一第一方向上延伸；

该山脊具有山脊高度在一第二方向上延伸，该第二方向与该第一方向垂直；

该山脊具有在一第三方向上量测的山脊长度，该第三方向与该第一及第二方向垂直；

该山脊具有侧壁表面在该第二及第三方向上延伸；

一上墙表面在该第一及第三方向上延伸；以及

该衬底包含一衬底表面在该第一及第三方向上延伸。

8.一种形成一电容器的方法，包括：

形成一系列的山脊于一衬底之上，该系列的山脊由沟道所分隔，及形成一互连区域于该衬底上靠近及该系列的山脊与沟道，该系列的山脊与沟道和互连区域具有一电容器基础表面；

该山脊形成步骤的进行使得该电容器基础表面具有凸出及下凹结构以定义一弯曲的剖面轮廓；

形成交错的电性导电电极层及介电层分隔该电极层于该电容器基础表面以产生至少两个弯曲平板电容器的一叠层；以及

在该互连区域电性连接该电极层与该电性导体以存取该电极层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中该山脊形成步骤包含形成该系列的介电山脊于该衬底上的一沟道内。

10.根据权利要求8所述的方法，其中该电性连接步骤包括：

自该互连区域的一部分除去材料，该材料包覆该电极层的接触垫；

沉积一介电材料于该互连区域的该部分；

形成介层孔通过该互连区域而至该接触垫；以及

在该介层孔中形成电性导体且将该电性导体与该接触垫电性耦接。

11.根据权利要求8所述的方法，其中该电性连接步骤包括：

使用一组N个刻蚀掩模以产生最多达2^N阶层的接触垫于该互连区域中，每一个掩模包括掩模与刻蚀区域，N是至少为2的整数，x是该掩模自x＝0开始的序列数目，使得一掩模x＝0、另一掩模x＝1直到x＝n-1；

使用该掩模以一事先选取的顺序刻蚀该互连区域N次以产生接触开口延伸至每一电极层；

该刻蚀步骤包含对序列X的每个掩模刻蚀通过2^N个电极层。

12.根据权利要求8所述的方法，其中该交错的电性导电电极层及介电层形成步骤形成至少四个弯曲平板电容器的一叠层。