[发明专利]检测器件制造方法、检测器件和检测系统

摘要

本发明涉及一种检测器件制造方法、检测器件和检测系统。在制造检测器件的方法中，所述检测器件包括在基板上的像素，每个像素包括开关元件和转换元件，所述转换元件包括设置在电极上的杂质半导体层，所述电极设置在所述开关元件之上，并且针对每个像素被隔离，所述开关元件和所述电极在形成于保护层和层间绝缘层中的接触孔中连接，所述保护层和所述层间绝缘层设置在所述开关元件与所述电极之间，所述方法包括：在所述层间绝缘层之上、在与所述层间绝缘层接触的电极之间形成绝缘构件；形成覆盖所述绝缘构件和所述电极的杂质半导体膜；以及形成覆盖所述保护层中所述电极的一部分的正交投影图像位于其中的区域的涂覆层，所述部分在所述接触孔内包括水平差。

主权项

一种制造检测器件的方法，所述检测器件包括排列在基板上的多个像素、保护层和层间绝缘层，所述像素各自包括开关元件和转换元件，所述开关元件设置在所述基板上，所述转换元件包括设置在电极上的杂质半导体层，所述电极设置在所述开关元件之上，并且针对每个像素被隔离，所述保护层由无机材料制成，设置在所述基板与多个所述电极之间，并且覆盖多个所述开关元件，所述层间绝缘层由有机材料制成，并且设置在所述保护层之上，所述开关元件和所述电极在形成于所述保护层和所述层间绝缘层中的接触孔中彼此连接，所述方法包括：在所述层间绝缘层上将所述电极形成为与所述层间绝缘层和绝缘构件接触，所述绝缘构件各自由无机材料制成，并且被设置为覆盖所述电极中的相邻两个之间的层间绝缘层；形成杂质半导体膜，所述杂质半导体膜覆盖所述绝缘构件和所述电极，并且变为所述杂质半导体层；和形成涂覆层，以使得当形成所述绝缘构件时，所述涂覆层覆盖所述保护层中所述电极的一部分的正交投影图像位于其中的区域，所述部分包括位于所述层间绝缘层的接触孔内的水平差。