[发明专利]MOS管及其形成方法有效
| 申请号： | 201210174700.3 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN103456633A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MOS管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面覆盖有应力衬垫层，应力衬垫层表面覆盖有外延半导体层，外延半导体层表面具有绝缘层，绝缘层内具有贯穿其厚度的第一栅极结构以及位于第一栅极结构侧壁的侧墙；去除第一栅极结构、与第一栅极结构对应的外延半导体层和应力衬垫层，形成暴露出半导体衬底表面的开口；形成位于开口底部的电压控制层，电压控制层与应力衬垫层表面齐平；在开口内形成位于电压控制层表面的外延本征层，外延本征层与外延半导体层表面齐平；在所述开口的外延本征层表面形成第二栅极结构，第二栅极结构与所述绝缘层表面齐平。本发明实施例形成MOS管的工艺简单，MOS管的阈值电压低。 | ||
| 搜索关键词： | mos 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面覆盖有应力衬垫层，所述应力衬垫层表面覆盖有外延半导体层，所述外延半导体层表面具有绝缘层，所述绝缘层内具有贯穿其厚度的第一栅极结构以及位于所述第一栅极结构侧壁的侧墙；去除所述第一栅极结构、与第一栅极结构对应的外延半导体层和应力衬垫层，形成暴露出所述半导体衬底表面的开口；形成位于所述开口底部的电压控制层，所述电压控制层与所述应力衬垫层表面齐平；在所述开口内形成位于所述电压控制层表面的外延本征层，所述外延本征层表面高于外延半导体层表面、或与所述外延半导体层表面齐平，所述外延本征层和电压控制层内掺杂的离子具有浓度梯度，且所述外延本征层的离子浓度小于所述电压控制层的离子浓度；在所述开口的外延本征层表面形成第二栅极结构，所述第二栅极结构与所述绝缘层表面齐平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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