[发明专利]薄膜太阳能电池的制造方法及其制造设备有效
申请号: | 201210173508.2 | 申请日: | 2012-05-30 |
公开(公告)号: | CN103456830A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 游明辉;陈阿赐;梁望遵;高家荣;张量然;李威铮 | 申请(专利权)人: | 台技工业设备股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 赵根喜;冯志云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提出一种CIGS薄膜太阳能电池的制造方法及其制造设备,该制造方法包括以下步骤。首先,提供一基板,将基板置入一扩散炉内,于扩散炉内通入第一硒化气体。进行多阶段式加热升温,升温至第一预定温度之后持温第一预定时间,之后抽出第一硒化气体。进行升温以后并且通入第二硒化气体于扩散炉内,在第二预定温度持温第二预定时间,最后在降温过程中抽出第二硒化气体。本发明的CIGS薄膜太阳能电池的制造设备,其包括一扩散炉、一冷却单元、一气体控制单元及一控制接口单元。本发明可减少吸收层膜剥落及解决MoSe2层过厚的问题。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 制造 方法 及其 设备 | ||
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一基板;将该基板置入一扩散炉内,于该扩散炉内通入第一硒化气体;进行多阶段式加热升温,升温至第一预定温度之后持温第一预定时间;抽出该第一硒化气体,之后进行升温;通入第二硒化气体于该扩散炉内;在第二预定温度持温第二预定时间;以及进行降温且在降温过程中抽出该第二硒化气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的