[发明专利]一种基于N型衬底的IBC电池的制备方法

摘要

本发明涉及一种基于N型衬底的IBC电池的制备方法，使用激光掺杂的方法来制备发射极，具体包括以下步骤：硅片表面织构化处理、硅片表面镀介质膜、用激光对背表面局部重掺杂N+区和P+区、用激光对正表面全部轻掺杂N+区、去除表面介质膜、硅片表面制备钝化膜、硅片表面制备减反射膜并完成正负电极制备，本发明通过对表面旋涂有相应杂质源的硅片进行激光扫描，利用激光的高能量使硅片表面加热到熔融状态，从而使杂质能很好的扩散到体内，能很好的控制掺杂的区域，未掺杂的地方不会产生晶格缺陷，工艺简单合理安全可靠。

主权项

一种基于N型衬底的IBC太阳电池的制备方法，其特征在于，使用激光掺杂的方法来制备发射极，具体包括以下步骤：⑴对晶体硅片进行表面织构化处理并进行化学清洗，然后在正背两面制备介质膜，使硅片表面具有亲水性；⑵在涂有磷源的晶体硅背表面利用激光扫描的方法制备局部N+重掺杂结构，并清洗干燥处理；⑶在涂有硼源的晶体硅背表面利用激光扫描的方法制备局部P+重掺杂结构，并清洗干燥处理；⑷在涂有磷源的晶体硅正表面利用全激光扫描的方法制备N+轻掺杂结构；⑸去除硅片正背两面的介质膜，并清洗干燥处理；⑹在硅片两面制备钝化膜；⑺在硅片两面制备减反射膜；⑻在硅片背面制作电池正、负电极；并烧结。