[发明专利]一种基于N型衬底的IBC电池的制备方法

权利要求书

1.一种基于N型衬底的IBC太阳电池的制备方法，其特征在于，使用激光掺杂的方法来制备发射极，具体包括以下步骤：

⑴对晶体硅片进行表面织构化处理并进行化学清洗，然后在正背两面制备介质膜，使硅片表面具有亲水性；

⑵在涂有磷源的晶体硅背表面利用激光扫描的方法制备局部N⁺重掺杂结构，并清洗干燥处理；

⑶在涂有硼源的晶体硅背表面利用激光扫描的方法制备局部P⁺重掺杂结构，并清洗干燥处理；

⑷在涂有磷源的晶体硅正表面利用全激光扫描的方法制备N⁺轻掺杂结构；

⑸去除硅片正背两面的介质膜，并清洗干燥处理；

⑹在硅片两面制备钝化膜；

⑺在硅片两面制备减反射膜；

⑻在硅片背面制作电池正、负电极；并烧结。

2.根据权利要求1所述的基于N型衬底的IBC太阳电池的制备方法，其特征在于，对所述步骤⑵、⑶和⑷的次序进行任意调整。

3.根据权利要求1所述的基于N型衬底的IBC太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤⑵和步骤⑷所述的磷源为磷酸与水和酒精的混合溶液或者磷硅玻璃。

4.根据权利要求1所述的基于N型衬底的IBC太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤⑶所述的硼源为硼酸溶液或者硼硅玻璃。

5.根据权利要求1所述的基于N型衬底的IBC太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤⑴所述的介质膜为湿化学氧化或干法氧化生成的SiO₂或者SiNx膜。

6.根据权利要求1所述的基于N型衬底的IBC太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤⑵、⑶和⑷所述的激光扫描的激光参数为：功率1W-10W、波长200nm-600nm的脉冲。

7.根据权利要求1所述的基于N型衬底的IBC太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤⑹所述的钝化膜包括SiO₂、Al₂O₃或α-Si膜。

8.根据权利要求1所述的基于N型衬底的IBC太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤⑺所述的减反射膜包括SiNx、TiO₂或MgF₂膜。

9.根据权利要求1所述的基于N型衬底的IBC太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤⑻所述的制备电池正、负电极的方法包括丝网印刷、电镀或化学镀。