[发明专利]栅极隔离结构制造方法、栅极隔离结构以及半导体器件

摘要

本发明提供了一种栅极隔离结构制造方法、栅极隔离结构以及半导体器件。根据本发明的栅极隔离结构制造方法包括：在衬底上形成多个栅极；在形成了所述多个栅极的硅片表面形成保护层；在保护层上形成无定性碳层；对所述无定性碳层进行刻蚀，以便使得所述多个栅极的上部暴露出来；在暴露了所述多个栅极的上部的结构上形成氮化硅层，所述氮化硅层覆盖了暴露的栅极；对所述氮化硅层进行刻蚀，从而在所述多个栅极的侧面形成一个翼形侧壁结构，并且使得相邻的两个栅极中间的无定性碳层的至少一部分暴露出来；在氮化硅层刻蚀步骤之后去除剩余的无定性碳层；以及在无定性碳层去除步骤之后的栅极结构上形成隔离介质，以形成相邻栅极之间的空气隔离结构。

主权项

一种栅极隔离结构制造方法，其特征在于包括：栅极形成步骤，用于在衬底上形成多个栅极；保护层形成步骤，用于在形成了所述多个栅极的硅片表面形成保护层；无定性碳层形成步骤，用于在保护层上形成无定性碳层；无定性碳层部分刻蚀步骤，用于对所述无定性碳层进行刻蚀，以便使得所述多个栅极的上部暴露出来；氮化硅层形成步骤，用于在暴露了所述多个栅极的上部的结构上形成氮化硅层，所述氮化硅层覆盖了暴露的栅极；氮化硅层刻蚀步骤，用于对所述氮化硅层进行刻蚀，从而在所述多个栅极的侧面形成一个翼形侧壁结构，并且使得相邻的两个栅极中间的无定性碳层的至少一部分暴露出来；无定性碳层去除步骤，用于在氮化硅层刻蚀步骤之后去除剩余的无定性碳层；以及隔离介质生成步骤，用于在无定性碳层去除步骤之后的栅极结构上形成隔离介质，以形成相邻栅极之间的空气隔离结构。