[发明专利]提高紫外发光二极管出光效率的方法无效
| 申请号： | 201210162627.8 | 申请日： | 2012-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN102655194A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 董鹏;王军喜;闫建昌;张逸韵;孙莉莉;曾建平;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种提高紫外发光二极管出光效率的方法，包括如下步骤：步骤1：一紫外发光二极管外延片；步骤2：在紫外发光二极管外延片的蓝宝石衬底的背面生长一氮化物层；步骤3：将氮化物层的表面粗化，完成制备，该方法简单方便易行，与传统LED工艺相兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 紫外 发光二极管 效率 方法 | ||
【主权项】：
一种提高紫外发光二极管出光效率的方法，包括如下步骤：步骤1：一紫外发光二极管外延片；步骤2：在紫外发光二极管外延片的蓝宝石衬底的背面生长一氮化物层；步骤3：将氮化物层的表面粗化，完成制备。
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