[发明专利]电路的验证方法和半导体器件的模拟方法在审
| 申请号： | 201210161701.4 | 申请日： | 2012-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN102722605A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 于明;郑舒静;许猛勇 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 电路的验证方法和半导体器件的模拟方法。所述电路的验证方法包括：在电路中设置第一器件、第一二极管和第二二极管，以对应具有深N阱的半导体器件；组合所述第一器件、所述第一二极管和所述第二二极管，以在所述电路中形成半导体器件组合；对形成有所述半导体器件组合的所述电路进行物理验证。本发明技术方案将现有技术需要使用的多个器件组合为一个半导体器件组合，便于直接在电路中添加该半导体器件组合，而不必如现有技术中逐一添加模拟该半导体器件所需的各个器件，减少了电路设计的工作量，提高了等效电路设计的效率，另外还避免了利用EDA设计工具进行物理验证时可能存在的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 电路 验证 方法 半导体器件 模拟 | ||
【主权项】：
一种电路的验证方法，其特征在于，包括：在电路中设置第一器件、第一二极管和第二二极管，以对应具有深N阱的半导体器件；组合所述第一器件、所述第一二极管和所述第二二极管，以在所述电路中形成半导体器件组合；对形成有所述半导体器件组合的所述电路进行物理验证。
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