[发明专利]电路的验证方法和半导体器件的模拟方法

权利要求书

1.一种电路的验证方法，其特征在于，包括：

在电路中设置第一器件、第一二极管和第二二极管，以对应具有深N阱的半导体器件；

组合所述第一器件、所述第一二极管和所述第二二极管，以在所述电路中形成半导体器件组合；

对形成有所述半导体器件组合的所述电路进行物理验证。

2.如权利要求1所述的电路的验证方法，其特征在于，所述半导体器件为具有深N阱的NMOS晶体管，所述第一器件为NMOS晶体管。

3.如权利要求2所述的电路的验证方法，其特征在于，所述组合所述第一器件、所述第一二极管和所述第二二极管，以在电路中形成半导体器件组合包括：

将所述第一二极管的输入端连接至所述NMOS晶体管的衬底，输出端连接至所述第二二极管的输出端；

将连接在一起的所述NMOS晶体管、所述第一二极管和所述第二二极管设置为半导体器件组合，以在所述物理验证时保留所述第一二极管和所述第二二极管。

4.如权利要求1所述的电路的验证方法，其特征在于，所述半导体器件为N型有源扩散电阻，所述第一器件为有源电阻。

5.如权利要求4所述的电路的验证方法，其特征在于，所述组合所述第一器件、所述第一二极管和所述第二二极管，以在电路中形成半导体器件组合包括：

将所述第一二极管的输入端连接至所述有源电阻的衬底，输出端连接至所述第二二极管的输出端；

将连接在一起的所述有源电阻、所述第一二极管和所述第二二极管设置为半导体器件组合，以在所述物理验证时保留所述第一二极管和所述第二二极管。

6.如权利要求3或5所述的电路的验证方法，其特征在于，所述组合所述第一器件、所述第一二极管和所述第二二极管，以在电路中形成半导体器件组合还包括：建立子电路宏单元，所述子电路宏单元包括连接在一起的所述第一器件、所述第一二极管和所述第二二极管；设置所述第一器件、所述第一二极管和所述第二二极管的属性参数；

所述对形成有所述半导体器件组合的所述电路进行物理验证包括：调用所述子电路宏单元，以对所述电路进行物理验证。

7.一种半导体器件的模拟方法，其特征在于，包括：

获取对应具有深N阱的半导体器件的第一器件、第一二极管和第二二极管；

组合所述第一器件、所述第一二极管和所述第二二极管，以形成半导体器件组合。

8.如权利要求7所述的半导体器件的模拟方法，其特征在于，所述半导体器件为具有深N阱的NMOS晶体管，所述第一器件为NMOS晶体管。

9.如权利要求8所述的半导体器件的模拟方法，其特征在于，所述组合所述第一器件、所述第一二极管和所述第二二极管，以形成半导体器件组合包括：

将所述第一二极管的输入端连接至所述NMOS晶体管的衬底，输出端连接至所述第二二极管的输出端；

将连接在一起的所述NMOS晶体管、所述第一二极管和所述第二二极管设置为半导体器件组合。

10.如权利要求7所述的半导体器件的模拟方法，其特征在于，所述半导体器件为N型有源扩散电阻，所述第一器件为有源电阻。

11.如权利要求10所述的半导体器件的模拟方法，其特征在于，所述组合所述第一器件、所述第一二极管和所述第二二极管，以形成半导体器件组合包括：

将所述第一二极管的输入端连接至所述有源电阻的衬底，输出端连接至所述第二二极管的输出端；

将连接在一起的所述有源电阻、所述第一二极管和所述第二二极管设置为半导体器件组合。

12.如权利要求9或11所述的半导体器件的模拟方法，其特征在于，所述组合所述第一器件、所述第一二极管和所述第二二极管，以形成半导体器件组合还包括：建立子电路宏单元，所述子电路宏单元包括连接在一起的所述第一器件、所述第一二极管和所述第二二极管；设置所述第一器件、所述第一二极管和所述第二二极管的属性参数。