[发明专利]通过部分预编程来减少存储器擦除时间的方法与装置有效
| 申请号： | 201210161392.0 | 申请日： | 2012-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103426476A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 李俊毅;张坤龙;洪俊雄 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/16 | 分类号： | G11C16/16;G11C16/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一非易失存储阵列具有多个各属多种阈值电压范围其中之一的存储单元，该多种阈值电压范围包括至少一擦除阈值电压范围及一编程阈值电压范围。响应一擦除命令以擦除该非易失存储阵列中的一群存储单元，其具有包含至少一预编程阶段及一擦除阶段的多个阶段。在预编程阶段，编程该群存储单元中阈值电压在该擦除阈值电压范围内的一第一组存储单元，且不会编程该群存储单元中阈值电压在该擦除阈值电压范围内的一第二组存储单元。因为并不会编程该群组中的第二组存储单元，此预编程阶段相较于将第一组存储单元及第二组存储单元同时编程的操作更快。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 部分 预编 减少 存储器 擦除 时间 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包含：一非易失存储阵列，具有多个各属多种阈值电压范围其中之一的存储单元，该多种阈值电压范围包括至少一擦除阈值电压范围及一编程阈值电压范围；控制电路，响应一擦除命令以擦除该非易失存储阵列中的一群存储单元，且此擦除具有多个阶段包含至少：一预编程阶段，其编程该群存储单元中阈值电压在该擦除阈值电压范围内的一第一组存储单元，且不会编程该群存储单元中阈值电压在该擦除阈值电压范围内的一第二组存储单元；以及一擦除阶段，于该预编程阶段之后，擦除该整群存储单元。
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