[发明专利]通过部分预编程来减少存储器擦除时间的方法与装置

权利要求书

1.一种集成电路，包含：

一非易失存储阵列，具有多个各属多种阈值电压范围其中之一的存储单元，该多种阈值电压范围包括至少一擦除阈值电压范围及一编程阈值电压范围；

控制电路，响应一擦除命令以擦除该非易失存储阵列中的一群存储单元，且此擦除具有多个阶段包含至少：

一预编程阶段，其编程该群存储单元中阈值电压在该擦除阈值电压范围内的一第一组存储单元，且不会编程该群存储单元中阈值电压在该擦除阈值电压范围内的一第二组存储单元；以及

一擦除阶段，于该预编程阶段之后，擦除该整群存储单元。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中该群存储单元分割成多个预编程区域，且在该预编程阶段中被编程的该第一组存储单元，仅是该多个预编程区域的其中一个预编程区域。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中该群存储单元分割成多个预编程区域，且在该预编程阶段中被编程的该第一组存储单元，仅是该多个预编程区域的其中一个预编程区域；且该集成电路更包含一用以储存预编程位置数据的存储器，且该控制电路读取该预编程位置数据以决定该预编程区域。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中该群存储单元分割成多个预编程区域，且在该预编程阶段中被编程的该第一组存储单元仅是该多个预编程区域的其中一个预编程区域，其中该预编程区域是选自该多个预编程区域其中之一。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中该群存储单元分割成多个预编程区域，且在该预编程阶段中被编程的该第一组存储单元仅是该多个预编程区域的其中一个预编程区域，

其中该预编程区域是于该集成电路开启时该控制电路第一次响应该擦除命令自该多个预编程区域中选取以擦除该群存储单元。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中该群存储单元分割成多个预编程区域，且在该预编程阶段中被编程的该第一组存储单元仅是该多个预编程区域的其中一个预编程区域，

其中该控制电路在每一次响应该擦除命令时改变该预编程区域至下一个预编程区域以擦除该群存储单元。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中该群存储单元分割成多个预编程区域，且在该预编程阶段中被编程的该第一组存储单元仅是该多个预编程区域的其中一个预编程区域，

其中该预编程区域是于该集成电路开启时该控制电路第一次响应该擦除命令自该多个预编程区域中选取以擦除该群存储单元，以及

其中该控制电路在该集成电路开启后的第二次及其后的每次响应该擦除命令时改变该预编程区域至下一个预编程区域以擦除该群存储单元。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

该非易失存储阵列分割成多个擦除群，且该擦除命令自该多个擦除群中选取该群存储单元进行擦除。

9.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

该预编程阶段不会编程该群存储单元中具有阈值电压于该编程阈值电压范围之内的一第三组存储单元，以及

该擦除阶段对该第一组存储单元、该第二组存储单元及该第三组存储单元进行擦除。

10.一种于一擦除周期中擦除存储单元的方法，多个存储单元被安排在具有多条字线的一存储阵列中，该方法包含：

在该擦除周期中执行一预编程阶段，其仅会编程一组存储单元中在一擦除状态内的一部份；以及

在该擦除周期中执行一擦除阶段，其会擦除该组存储单元中的所有存储单元。

11.根据权利要求10所述的方法，其中该组存储单元分布在多条字线上，且该组存储单元的该部份存储单元分布在该多条字线中的一部分。

12.根据权利要求10所述的方法，其中该方法是响应一擦除命令以擦除该存储阵列中的一群存储单元，且该等存储单元中的数据是属于多种阈值电压范围的其中之一，该多种阈值电压范围至少包括一代表擦除状态的擦除阈值电压范围以及一代表编程状态的编程阈值电压范围。

13.根据权利要求10所述的方法，其中在该预编程阶段中被编程的该组存储单元的该部分存储单元，仅是该群存储单元分割成多个预编程区域中的一个预编程区域。