[发明专利]光电转换元件和光电转换装置有效
| 申请号: | 201210153336.2 | 申请日: | 2012-05-17 |
| 公开(公告)号: | CN102800735B | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
| 发明(设计)人: | 山田泰弘;田中勉;高德真人;伊藤良一;千田满 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H01L31/105 | 分类号: | H01L31/105 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人: | 陈桂香,武玉琴 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明涉及光电转换元件和光电转换装置。所述光电转换元件包括设置在基板上的第一导电型的第一半导体层;第二导电型的第二半导体层,所述第二半导体层设置在比所述第一半导体层高的层中;第三导电型的第三半导体层,所述第三半导体层设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间,并且所述第三半导体层的电导率低于所述第一半导体层和所述第二半导体层;以及遮光层,所述遮光层设置在所述基板和所述第一半导体层之间。本发明的光电转换元件能使光学噪声的影响降低。 | ||
| 搜索关键词: | 光电 转换 元件 装置 | ||
【主权项】:
一种光电转换元件,包括:第一导电型的第一半导体层,所述第一半导体层设置在基板上方;第二导电型的第二半导体层,所述第二半导体层设置在比所述第一半导体层高的层中;第三导电型的第三半导体层,所述第三半导体层设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间,并且所述第三半导体层的电导率低于所述第一半导体层和所述第二半导体层的电导率;遮光层,所述遮光层设置在所述基板和所述第一半导体层之间;绝缘膜,其覆盖所述遮光层,所述第一半导体层设置在所述绝缘膜上,且所述绝缘膜设置在所述第一半导体层和所述遮光层之间;以及位于所述基板上的晶体管,其中,所述遮光层保持在与所述第一半导体层相同的电位,其中,所述遮光层设置在与所述晶体管的栅极不同的层中,其中,所述绝缘膜设置在比所述晶体管的栅极低的层中,且其中,所述遮光层设置在所述绝缘膜和所述基板之间并且位于所述基板的整个表面上。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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