[发明专利]光电转换元件和光电转换装置

权利要求书

1.一种光电转换元件，包括：

第一导电型的第一半导体层，所述第一半导体层设置在基板上方；

第二导电型的第二半导体层，所述第二半导体层设置在比所述第一半导体层高的层中；

第三导电型的第三半导体层，所述第三半导体层设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，并且所述第三半导体层的电导率低于所述第一半导体层和所述第二半导体层的电导率；

遮光层，所述遮光层设置在所述基板和所述第一半导体层之间；

绝缘膜，其覆盖所述遮光层，所述第一半导体层设置在所述绝缘膜上，且所述绝缘膜设置在所述第一半导体层和所述遮光层之间；以及

位于所述基板上的晶体管，

其中，所述遮光层保持在与所述第一半导体层相同的电位，

其中，所述遮光层设置在与所述晶体管的栅极不同的层中，

其中，所述绝缘膜设置在比所述晶体管的栅极低的层中，且

其中，所述遮光层设置在所述绝缘膜和所述基板之间并且位于所述基板的整个表面上。

2.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，

所述第一半导体层连接到用于保存信号电荷的节点。

3.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，

所述第二半导体层连接到用于保存信号电荷的节点。

4.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，

所述第一半导体层是由多晶硅制成。

5.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，

所述第一半导体层设置在所述基板上方的选择区域中。

6.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，

所述绝缘膜也用作所述晶体管的栅极绝缘膜。

7.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，

所述遮光层是由钼、钨、钽或铬制成。

8.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，

所述第一半导体层设置在所述基板上方的选择区域中，

在所述基板上方且在所述第一半导体层上设置有层间绝缘膜，所述层间绝缘膜具有与所述第一半导体层相对的接触孔，并且

所述遮光层的底座面积等于或者大于所述接触孔在所述第一半导体层侧的开口的面积。

9.如权利要求8所述的光电转换元件，其中，

所述层间绝缘膜也用作所述晶体管的层间绝缘膜。

10.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，

所述第一半导体层是由微晶硅制成。

11.如权利要求1所述的光电转换元件是PIN型光电二极管。

12.一种光电转换装置，包括：

多个像素，每个所述像素包括光电转换元件，所述光电转换元件为权利要求1至11中任一项所述的光电转换元件。

13.如权利要求12所述的光电转换装置是放射线摄像装置。

14.如权利要求12所述的光电转换装置是光学接触式传感器。