[发明专利]发光器件在审
| 申请号： | 201210152797.8 | 申请日： | 2012-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103000790A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 李容京;崔炳然;郑载雄 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/62 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 实施例提供一种发光器件，该发光器件包括：支撑构件；发光结构，该发光结构被布置在支撑构件上，该发光结构包括包含第一和第二区域的第一半导体层、被布置在第二区域上的第二半导体层、以及第一和第二半导体层之间的有源层；第一电极，该第一电极被布置在第一半导体层上；以及第二电极，该第二电极被布置在第二半导体层上，其中，支撑构件包括金属离子以将从有源层发射的第一波长的光转换为不同于第一波长的第二波长的光。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：支撑构件；发光结构，所述发光结构被布置在所述支撑构件上，所述发光结构包括：第一半导体层，所述第一半导体层包括第一区域和第二区域；第二半导体层，所述第二半导体层被布置在所述第二区域上；以及有源层，所述有源层在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；以及光透射电极层，所述光透射电极层被布置在所述第二半导体层上，其中，所述支撑构件包括金属离子，以将从所述有源层发射的第一波长的光转换为不同于所述第一波长的第二波长的光。
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