[发明专利]存储元件和存储装置有效
| 申请号： | 201210152766.2 | 申请日： | 2012-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN102800804B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 肥后丰;细见政功;大森广之;别所和宏;浅山徹哉;山根一阳;内田裕行 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/16;H01F10/32;B82Y25/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了存储元件和存储装置，该存储元件包含存储层，其通过磁性材料的磁化状态保持信息；具有磁化的磁化固定层，该磁化被用作存储在存储层中的信息的基础；非磁性物质的中间层，设置在存储层和磁化固定层之间。存储元件被构造为，通过使用自旋扭矩磁化反转使存储层的磁化进行反转来存储信息，自旋扭矩磁化反转通过电流在包含存储层、中间层和磁化固定层的层结构的层压方向上流动而产生，在存储层的饱和磁化和厚度分别由Ms（emu/cc）和t（nm）表示时，（1489/Ms）‑0.593<t<（6820/Ms）‑1.55成立。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 装置 | ||
【主权项】：
一种存储元件，包括：存储层，通过磁性物质的磁化状态保持信息；具有磁化的磁化固定层，所述磁化被用作存储在所述存储层中的所述信息的基础；以及非磁性物质的中间层，设置在所述存储层和所述磁化固定层之间，其中，所述存储元件被配置为通过使用自旋扭矩磁化反转使所述存储层的磁化进行反转来存储信息，所述自旋扭矩磁化反转通过电流在包含所述存储层、所述中间层和所述磁化固定层的层结构的层压方向上流动而产生，以及当所述存储层的饱和磁化和厚度分别由Ms(emu/cc)和t(nm)表示时，(1489/Ms)‑0.593<t<(6820/Ms)‑1.55成立，其中，由MgO膜形成的所述中间层中，所述MgO膜的厚度被设定在1.5nm以下，其中，通过改变所述存储元件的饱和磁化获得所述存储元件的热稳定性指标的变化为20％的厚度。
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