[发明专利]存储元件和存储装置

权利要求书

1.一种存储元件，包括：

存储层，通过磁性物质的磁化状态保持信息；

具有磁化的磁化固定层，所述磁化被用作存储在所述存储层中的所述信息的基础；以及

非磁性物质的中间层，设置在所述存储层和所述磁化固定层之间，

其中，所述存储元件被配置为通过使用自旋扭矩磁化反转使所述存储层的磁化进行反转来存储信息，所述自旋扭矩磁化反转通过电流在包含所述存储层、所述中间层和所述磁化固定层的层结构的层压方向上流动而产生，以及

当所述存储层的饱和磁化和厚度分别由Ms（emu/cc）和t（nm）表示时，（1489/Ms）-0.593<t<（6820/Ms）-1.55成立。

2.根据权利要求1所述的存储元件，

其中，所述存储层和所述磁化固定层均具有垂直于各自的膜表面的磁化。

3.根据权利要求1所述的存储元件，

其中，还包含在与所述中间层相反的一侧处与所述存储层相邻的覆盖层。

4.根据权利要求1所述的存储元件，

其中，所述存储层的所述厚度t（nm）在40nm到70nm的范围内。

5.根据权利要求1所述的存储元件，

其中，所述存储层是具有如下结构的垂直磁性膜，在所述结构中，包含钴和铁的至少一种的至少一个磁性层和至少一个导电氧化物层彼此交替地层压。

6.根据权利要求1所述的存储元件，其中，所述磁化固定层可以仅由铁磁层形成或通过使用反铁磁层与铁磁层之间的反铁磁耦合形成。

7.一种存储装置，包含：

彼此交叉的两种类型的配线；以及

配置在所述两种类型的配线之间的存储元件，所述存储元件通过磁性物质的磁化状态来保持信息，并且所述存储元件包含：

存储层，通过磁性物质的磁化状态来保持信息；

具有磁化的磁化固定层，所述磁化被用作存储在所述存储层中的所述信息的基础，以及

非磁性物质的中间层，设置在所述存储层和所述磁化固定层之间，

其中，所述存储元件被配置为通过使用自旋扭矩磁化反转使所述存储层的磁化进行反转来存储信息，所述自旋扭矩磁化反转通过电流在包含所述存储层、所述中间层和所述磁化固定层的层结构的层压方向上流动而产生，

当所述存储层的饱和磁化和厚度分别由Ms（emu/cc）和t（nm）表示时，（1489/Ms）-0.593<t<（6820/Ms）-1.55成立，以及

在层压方向上的所述电流通过所述两种类型的配线在所述存储元件中流动，使得发生自旋扭矩磁化反转。