[发明专利]新结构碲化银晶体及其制备方法有效
| 申请号： | 201210150810.6 | 申请日： | 2012-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN102674269A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 朱洁;刘青清;靳常青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新结构Ag2Te的制备方法，包括如下步骤：1）在常压下制备出单斜相的Ag2Te晶体；2）将单斜相的Ag2Te晶体置于压力为2~10GPa下进行超高压压制，得到正交相的Ag2Te晶体。本发明还公开了一种新结构Ag2Te晶体，该晶体为正交相结构，晶体的空间群为Immm，晶格常数为本发明还公开了一种新结构Ag2Te晶体，该晶体为坍塌的正交相结构，晶体的空间群为Immm，晶格常数为本发明的正交相Ag2Te晶体与常压下制备的Ag2Te晶体结构相比较，其结构紧凑，对称性提高，配位数增加。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 碲化银 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种新结构Ag2Te的制备方法，包括如下步骤：1）在常压下制备出单斜相的Ag2Te晶体；2）将单斜相的Ag2Te晶体置于压力为2~10GPa下进行超高压压制，得到正交相的Ag2Te晶体。
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