[发明专利]新结构碲化银晶体及其制备方法有效
申请号: | 201210150810.6 | 申请日: | 2012-05-15 |
公开(公告)号: | CN102674269A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 朱洁;刘青清;靳常青 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | C01B19/04 | 分类号: | C01B19/04 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 胡剑辉 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结构 碲化银 晶体 及其 制备 方法 | ||
1.一种新结构Ag2Te的制备方法,包括如下步骤:
1)在常压下制备出单斜相的Ag2Te晶体;
2)将单斜相的Ag2Te晶体置于压力为2~10GPa下进行超高压压制,得到正交相的Ag2Te晶体。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,再在10~30GPa的压力下对所得到的正交相的Ag2Te晶体进行超高压压制,得到坍塌的正交相Ag2Te晶体。
3.一种新结构Ag2Te晶体,该晶体为正交相结构,晶体的空间群为Immm,晶格常数为
4.一种新结构Ag2Te晶体,该晶体为坍塌的正交相结构,晶体的空间群为Immm,晶格常数为
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