[发明专利]气体喷淋头、其制造方法及薄膜生长反应器有效
申请号: | 201210147710.8 | 申请日: | 2012-05-11 |
公开(公告)号: | CN103388132A | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 姜勇;周宁;何乃明;杜志游 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种气体喷淋头,所述气体喷淋头包括气体分布扩散板和水冷板,气体分布扩散板包括连接第一反应气体源的若干列第一气体扩散通道和连接第二反应气体源的若干列第二气体扩散通道,在气体分布扩散板下方设置带有冷却液通道的水冷板,水冷板上带有配合第一气体扩散通道流出的第一出气通道和配合第二气体扩散通道内的反应气体流出的第二出气通道,从而实现将至少两种反应气体相互隔离地注入反应腔内。 | ||
搜索关键词: | 气体 喷淋 制造 方法 薄膜 生长 反应器 | ||
【主权项】:
一种气体喷淋头,用于将至少第一反应气体和第二反应气体相互隔离地注入到反应腔中,其特征在于:所述气体喷淋头包括:气体分布扩散板,包括连接第一反应气体源的若干列第一气体扩散通道和连接第二反应气体源的若干列第二气体扩散通道,所述若干列第一气体扩散通道和所述若干列第二气体扩散通道列与列之间交替排布;所述每一列第一气体扩散通道和第二气体扩散通道均包括若干个分立的气体扩散路径;水冷板,位于所述气体分布扩散板的下方,包括若干列冷却液通道,以及配合所述第一气体扩散通道内反应气体流出的第一出气通道和配合所述第二气体扩散通道内的反应气体流出的第二出气通道;所述气体分布扩散板和所述水冷板为分立的两个元件,二者通过可拆卸的机械方法组装为一体;所述第一反应气体和第二反应气体在从所述气体喷淋头内溢出并进入反应腔之前互相隔离。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的