[发明专利]一种Ru非磁性薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种Ru非磁性薄膜及其制备方法，包括基片1和钌非磁性薄膜层2。钌非磁性薄膜层2是由具有（002）晶面的X射线衍射峰强度比用式（1）表示为30%以上的Ru靶溅射得到，钌非磁性薄膜层2呈（002）晶面的择优取向生长，用式（1）表示的（002）晶面的X射线衍射峰强度比为60%~85%，…式（1），本发明用磁控溅射的方法制备出了(002)晶面择优取向生长、表面颗粒均匀，表面粗糙度小的Ru非磁性薄膜。以该薄膜为磁记录介质的中间层，有利于减小中间层与磁记录层的晶格失配度，降低界面间的应力，为磁记录层提供易于垂直生长的晶面取向，最终改善垂直磁记录介质的磁学性能。

主权项

一种钌非磁性薄膜，由Ru靶溅射得到，包括基片（1）和钌非磁性薄膜层（2），其特征在于：所述钌非磁性薄膜层（2）呈（002）晶面的择优取向生长，在X衍射分析中，用式（1）表示的（002）晶面的X射线衍射峰强度比为60%~85%，式（1）为： R ( 002 ) % = 100 × I ( 002 ) I p ( 002 ) Σ I ( hkl ) I p ( hkl ) %  ，所述钌非磁性薄膜层（2）表面颗粒尺寸为5~15nm，薄膜表面粗糙度为5~10nm。