[发明专利]一种Ru非磁性薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种钌非磁性薄膜，由Ru靶溅射得到，包括基片（1）和钌非磁性薄膜层（2），其特征在于：所述钌非磁性薄膜层（2）呈（002）晶面的择优取向生长，在X衍射分析中，用式（1）表示的（002）晶面的X射线衍射峰强度比为60%~85%，式（1）为：

R(002)%=100×I(002)Ip(002)ΣI(hkl)Ip(hkl)%]]> ，

所述钌非磁性薄膜层（2）表面颗粒尺寸为5~15nm，薄膜表面粗糙度为5~10nm。

2.根据权利要求1所述的钌非磁性薄膜，其特征在于：所述Ru靶的（002）晶面具有30%以上的X射线衍射峰强度。

3.根据权利要求1所述的钌非磁性薄膜，其特征在于：所述基片（1）的材料为（111）硅单晶片。

4.根据权利要求3所述的钌非磁性薄膜，其特征在于：所述（111）硅单晶片用丙酮和乙醇交替超声清洗后，用离子束预溅射对其表面进行清洗。

5.一种如权利要求1所述的钌非磁性薄膜的制备方法，其特征在于：所述钌非磁性薄膜层（2）是采用射频磁控溅射法，在基片（1）上制备得到的，基片（1）的材料为（111）硅单晶片，射频磁控溅射在室温下进行，本底真空为10^-3~10^-4Pa，Ar气工作气压为0.5~3Pa，溅射功率为50~300W，自偏压为100~600V。

6.根据权利要求5所述的钌非磁性薄膜的制备方法，其特征在于：所述（111）硅单晶片用丙酮和乙醇交替超声清洗后，用离子束预溅射对其表面进行清洗。