[发明专利]一种高陷光异质结单晶硅薄膜太阳能电池

摘要

目前异质结单晶硅薄膜太阳电池皆使用溅射或反应式溅射工艺来制备ITO或是AZO透明导电膜来形成光入射面的电极，然而此两种透明导电膜皆为平整的膜面，会造成入射光的反射，进而减少了入射光的比例，影响了光电转换效率，本发明即为提供一种高陷光的透明导电膜技术，提高入射光的比例和利用，进而提升转换效率。

主权项

本发明为一种可优化提升异质结单晶硅薄膜太阳电池转化效率的新颖发明，利用有机金属化学气相沈积设备（MOCVD）制作高陷光的氧化锌掺杂硼（ZnO:B），可提升入射光的吸收比例，进而提升光电转换效率，其特徵为于有机金属化学气相沈积设备（MOCVD）先均匀加热已制备完成钝化、PN结和背场的异质结单晶硅薄膜，加热温度为180～200℃，接著通入二乙基锌（DEZ）、氢气和乙硼烷（B2H6），最后通入水蒸气，即形成氧化锌掺杂硼（ZnO:B），藉由控制二乙基锌（DEZ）、氢气、乙硼烷（B2H6）和水蒸气的比例以及加热温度，可形成角锥状的高陷光氧化锌掺杂硼（ZnO:B）。