[发明专利]含1,3,4-噁二唑环的聚芳醚砜中高温质子交换膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201210134709.1 | 申请日： | 2012-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN102643546A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 王哲;任春丽;任飞;程海龙;徐晶美;白洪伟 | 申请（专利权）人： | 长春工业大学 |
| 主分类号： | C08L81/06 | 分类号： | C08L81/06;C08G75/23;C08J5/22;H01M8/02;H01M2/16 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 130012 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供一种含1，3，4-噁二唑环的聚芳醚砜中高温质子交换膜及其制备方法，属于高分子聚合物质子交换膜及其制备方法领域。解决现有的质子交换膜在高温下失水导致传导率下降和磺化度不可控的问题。该质子交换膜是将磺化单体、双酚单体、碳酸钾和氟端基单体在170～200℃下反应10～40h，经过过滤干燥得到纯品，将纯品溶于有机溶剂得到聚合物溶液，将聚合物溶液流延成膜，水中脱模，将膜置于盐酸溶液中进行质子交换12～24h而得到的。该质子交换膜厚度为20～100μm，磺化度为40％～140％，在120℃下质子电导率为3.2×10-2～8.8×10-2S/cm，本发明制备方法简单，缩短磺化的时间，磺化度可控。 | ||
| 搜索关键词： | 噁二唑环 聚芳醚砜中 高温 质子 交换 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.含3，4-噁二唑环的聚芳醚砜中高温质子交换膜，其特征在于，结构式如下：![]()
其中0.3≤x＜1.0，0＜y≤0.7，x+y＝1；中高温质子交换膜厚度为20～100μm，磺化度为40％～140％，在120℃下质子电导率为3.2×10-2S/cm～8.8×10-2S/cm。
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