[发明专利]半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 201210133853.3 | 申请日： | 2012-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN103377943A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 罗军;邓坚;赵超;钟汇才;李俊峰;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅极堆叠结构；在栅极堆叠结构以及衬底上形成栅极保护层；执行非晶化离子注入，在栅极堆叠结构两侧的衬底中形成非晶硅区；在栅极堆叠结构以及非晶硅区上淀积金属层；执行退火，使得金属层与非晶硅区反应形成金属硅化物，作为器件的源漏区，同时注入的离子在金属硅化物与衬底之间形成分凝区，降低了肖特基势垒高度。依照本发明的半导体器件制造方法，通过离子注入在衬底中形成非晶硅区，限制了金属扩散方向，抑制了金属硅化物的横向延伸，并进一步提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅极堆叠结构；在栅极堆叠结构以及衬底上形成栅极保护层；执行离子注入，在栅极堆叠结构两侧的衬底中形成非晶硅区；在栅极堆叠结构以及非晶硅区上淀积金属层；执行退火，使得金属层与非晶硅区反应形成金属硅化物，作为器件的源漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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